High-accuracy measurements of the quantum anomalous Hall effect for resistance metrology

verfasst von
Dinesh K. Patel, Mattias Kruskopf, Kajetan M. Fijalkowski, Martin Gotz, Eckart Pesel, Marcelo Jaime, Hansjorg Scherer, Steffen Schreyeck, Karl Brunner, Charles Gould, Laurens W. Molenkamp
Abstract

This study explores the quantum anomalous Hall effect (QAHE) in V-doped (BiSb)2Te3, a magnetically-doped topological insulators. We use a precision resistance bridge based on a cryogenic current comparator to measure the QAHE at a zero magnetic field with unprecedented uncertainty (ΔRxy/RK ≤ 12 nΩ/Ω). Measurement results obtained at currents between 40 and 300 nA demonstrate the potential of this technology for quantum metrology, offering a path to a primary electrical resistance standard without external magnetic fields.

Externe Organisation(en)
Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB)
Julius-Maximilians-Universität Würzburg
Typ
Aufsatz in Konferenzband
Publikationsdatum
12.07.2024
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Peer-reviewed
Ja
ASJC Scopus Sachgebiete
Elektronische, optische und magnetische Materialien, Instrumentierung, Elektrotechnik und Elektronik
Elektronische Version(en)
https://doi.org/10.1109/cpem61406.2024.10646071 (Zugang: Geschlossen)